GaSe ස්ඵටික
GaSe ස්ඵටිකයක් භාවිතයෙන් නිමැවුම් තරංග ආයාමය 58.2 µm සිට 3540 µm (172 cm-1 සිට 2.82 cm-1 දක්වා) පරාසයක සුසර කර ඇති අතර උපරිම බලය 209 W දක්වා ළඟා විය. මෙම THz හි නිමැවුම් බලයට සැලකිය යුතු ලෙස වැඩිදියුණු කරන ලදී. මූලාශ්රය 209 W සිට 389 W දක්වා.
ZnGeP2 ස්ඵටික
අනෙක් අතට, ZnGeP2 ස්ඵටිකයක DFG මත පදනම්ව, ප්‍රතිදාන තරංග ආයාමය 83.1–1642 µm සහ 80.2–1416 µm පරාසයන් තුළ අදියර ගැලපුම් වින්‍යාසයන් සඳහා පිළිවෙලින් සුසර කර ඇත. නිමැවුම් බලය 134 W දක්වා ළඟා වී ඇත.
GaP ස්ඵටික
GaP ස්ඵටිකයක් භාවිතයෙන් නිමැවුම් තරංග ආයාමය 71.1−2830 µm පරාසයක සුසර කරන ලද අතර ඉහළම උපරිම බලය 15.6 W විය. GaSe සහ ZnGeP2 මත GaP භාවිතා කිරීමේ වාසිය පැහැදිලිය: තරංග ආයාමය සාක්ෂාත් කර ගැනීම සඳහා ස්ඵටික භ්‍රමණය තවදුරටත් අවශ්‍ය නොවේ. , කෙනෙකුට අවශ්‍ය වන්නේ 15.3 nm තරම් පටු කලාප පළලක් තුළ එක් මිශ්‍ර කදම්භයක තරංග ආයාමය සුසර කිරීමයි.
සාරාංශ කිරීමට
0.1% ක පරිවර්තන කාර්යක්ෂමතාවය පොම්ප ප්‍රභවයන් ලෙස වාණිජමය වශයෙන් ලබා ගත හැකි ලේසර් පද්ධතියක් භාවිතා කරන tabletop පද්ධතියක් සඳහා මෙතෙක් ලබාගෙන ඇති ඉහළම අගය වේ. GaSe THz ප්‍රභවය සමඟ තරඟ කළ හැකි එකම THz මූලාශ්රය වන්නේ නිදහස් ඉලෙක්ට්‍රෝන ලේසර් වන අතර එය අතිශයින් විශාලය. සහ විශාල විදුලි බලයක් පරිභෝජනය කරයි.තවද, මෙම THz මූලාශ්‍රවල ප්‍රතිදාන තරංග ආයාමයන් අතිශය පුළුල් පරාසයකින් සුසර කළ හැකි අතර, ක්වොන්ටම් කැස්කැඩ් ලේසර් මෙන් නොව, ඒ සෑම එකක්ම ස්ථාවර තරංග ආයාමයක් පමණක් ජනනය කළ හැකිය. එබැවින්, පුළුල් ලෙස සුසර කළ හැකි ඒකවර්ණ THz මූලාශ්‍ර භාවිතයෙන් සාක්ෂාත් කර ගත හැකි ඇතැම් යෙදුම් සිදු නොවේ. ඒ වෙනුවට subpicosecond THz ස්පන්දන හෝ ක්වොන්ටම් කැස්කැඩ් ලේසර් මත රඳා පවතී නම් හැකි ය.
