GaSe Crystal

Gallium Selenide (GaSe) රේඛීය නොවන දෘෂ්‍ය තනි ස්ඵටිකයක්, විශාල රේඛීය නොවන සංගුණකයක්, ඉහළ හානි එළිපත්තක් සහ පුළුල් පාරදෘශ්‍යතා පරාසයක් ඒකාබද්ධ කරයි.GaSe යනු මධ්‍යම IR හි SHG සඳහා ඉතා සුදුසු ද්‍රව්‍යයකි.DIEN TECHඅද්විතීය විශාල ප්‍රමාණයකින් සහ උසස් තත්ත්වයේ GaSe ස්ඵටිකයක් ලබා දෙන්න.

GaSe හි සංඛ්‍යාත-දෙගුණ කිරීමේ ගුණාංග 6.0 µm සහ 12.0 µm අතර තරංග ආයාම පරාසය තුළ අධ්‍යයනය කරන ලදී.CO2 ලේසර් කාර්යක්ෂම SHG සඳහා GaSe සාර්ථකව භාවිතා කර ඇත (9% දක්වා පරිවර්තනය);ස්පන්දිත CO, CO2 සහ රසායනික DF-ලේසර් (l = 2.36 µm) විකිරණවල SHG සඳහා;CO සහ CO2 ලේසර් විකිරණ දෘශ්‍ය පරාසයට පරිවර්තනය කිරීම;Neodymium සහ අධෝරක්ත සායම් ලේසර් හෝ (F-) මධ්‍ය ලේසර් ස්පන්දනවල වෙනස සංඛ්‍යාත මිශ්‍ර කිරීම හරහා අධෝරක්ත ස්පන්දන උත්පාදනය;3.5-18 µm ඇතුළත OPG ආලෝක උත්පාදනය;terahertz (T-rays) විකිරණ උත්පාදනය.ද්‍රව්‍ය ව්‍යුහය ((001) තලය දිගේ ක්ලීව් කිරීම) යෙදුම් ප්‍රදේශ සීමා කිරීම නිසා ඇතැම් අදියර ගැළපෙන කෝණ සඳහා ස්ඵටික කැපීම කළ නොහැක්කකි.
GaSe ඉතා මෘදු සහ ස්ථර ස්ඵටිකයකි.නිශ්චිත ඝණකම සහිත ස්ඵටික නිෂ්පාදනය සඳහා අපි ඝන ආරම්භක හිස්, උදාහරණයක් ලෙස, 1-2 මි.මී. ඝන වන අතර පසුව හොඳ මතුපිට සුමට හා සමතලා තබා ගනිමින් ඇණවුම් ඝණකම වෙත ළඟා වීමට උත්සාහ කරමින් ස්ථරයෙන් ස්ථරය ඉවත් කිරීමට පටන් ගනියි.කෙසේ වෙතත්, 0.2-0.3 mm හෝ ඊට අඩු ඝණකම සඳහා GaSe තහඩුව පහසුවෙන් නැමෙන අතර අපි පැතලි එකක් වෙනුවට වක්‍ර මතුපිටක් ලබා ගනිමු.
එබැවින් අපි සාමාන්‍යයෙන් මිලිමීටර් 10x10 ස්ඵටිකයක් සඳහා මිලිමීටර් 0.2 ක ඝනකමකින් රැඳී සිටිමු. CA විවෘත කිරීමේ ඩය සමඟ dia.1'' රඳවනය තුළ සවි කර ඇත.9-9.5 මි.මී.
සමහර විට අපි 0.1 mm ස්ඵටික සඳහා ඇණවුම් භාර ගනිමු, කෙසේ වෙතත්, අපි එතරම් තුනී ස්ඵටික සඳහා හොඳ පැතලි බව සහතික නොකරමු.
GaSe ස්ඵටිකවල යෙදුම්:
• THz (T-කිරණ) විකිරණ උත්පාදනය
• THz පරාසය: 0.1-4 THz
• CO 2 ලේසර් කාර්යක්ෂම SHG (9% දක්වා පරිවර්තනය);
• ස්පන්දිත CO, CO2 සහ රසායනික DF-ලේසර් (l = 2.36 mkm) විකිරණ SHG සඳහා;
• CO සහ CO2 ලේසර් විකිරණ දෘශ්‍ය පරාසයට පරිවර්තනය කිරීම;Neodymium සහ අධෝරක්ත සායම් ලේසර් හෝ (F-) මධ්‍ය ලේසර් ස්පන්දනවල වෙනස සංඛ්‍යාත මිශ්‍ර කිරීම හරහා අධෝරක්ත ස්පන්දන උත්පාදනය;
• 3.5 - 18 mkm ඇතුළත OPG ආලෝක උත්පාදනය.
මැද-IR (CO2, CO, රසායනික DF-ලේසර් ආදිය) SHG
IR ලේසර් විකිරණ දෘශ්‍ය පරාසයට පරිවර්තනය කිරීම
3 - 20 µm ඇතුළත පරාමිතික උත්පාදනය
GaSe ස්ඵටිකවල ප්රධාන ගුණාංග:
විනිවිදභාවය පරාසය, µm 0.62 - 20
ලක්ෂ්ය කණ්ඩායම 6m2
දැලිස් පරාමිතීන් a = 3.74, c = 15.89 Å
ඝනත්වය, g/cm3 5.03
මෝස් දෘඪතාව 2
වර්තන දර්ශක:
5.3 µm දී no= 2.7233, ne= 2.3966
10.6 µm දී no= 2.6975, ne= 2.3745
රේඛීය නොවන සංගුණකය, pm/V d22 = 54
5.3 µm දී 4.1° අඩුවෙන් ඇවිදින්න
දෘශ්‍ය හානි සීමාව, MW/cm2 28 (9.3 µm, 150 ns);0.5 (10.6 µm, CW මාදිලියේ);30 (1.064 µm, 10 ns)