GSGG ස් st ටික


  • සංයුතිය: (Gd2.6Ca0.4) (Ga4.1Mg0.25Zr0.65) O12
  • ස් stal ටික ව්‍යුහය: කියුබික්: a = 12.480
  • අණුක wDielectric නියතතාව: 968,096 කි
  • මෙල්ට් පොයින්ට්: 30 1730 oC
  • Ens නත්වය: ~ 7.09 g / cm3
  • දෘ ness තාව: ~ 7.5 (මොන්ස්)
  • වර්තන දර්ශකය: 1.95
  • ද්වි විද ත් නියතය: 30
  • නිෂ්පාදන විස්තර

    තාක්ෂණික පරාමිතීන්

    GGG / SGGG / NGG ගාර්නෙට්ස් ද්‍රව එපිටාක්සි සඳහා භාවිතා කරයි. එස්.ජී.ජී.ජී. චුම්බක ක්ෂේත්‍රයක තැන්පත් කර ඇත. 
    SGGG උපස්ථරය බිස්මට් ආදේශක යකඩ ගාර්නෙට් එපිටාක්සියල් පටල සඳහා විශිෂ්ටයි, YIG, BiYIG, GdBIG සඳහා හොඳ ද්‍රව්‍යයකි.
    එය හොඳ භෞතික හා යාන්ත්‍රික ගුණාංග සහ රසායනික ස්ථායිතාවයි.
    අයදුම්පත්:
    YIG, BIG epitaxy film;
    මයික්‍රෝවේව් උපාංග;
    ආදේශක ජී.ජී.ජී.

    දේපළ:

    සංයුතිය (Gd2.6Ca0.4) (Ga4.1Mg0.25Zr0.65) O12
    ස් stal ටික ව්‍යුහය කියුබික්: a = 12.480,
    අණුක wDielectric නියත 968,096 කි
    මෙල්ට් පොයින්ට් 30 1730 oC
    Ens නත්වය ~ 7.09 g / cm3
    දෘ ness තාව ~ 7.5 (මොන්ස්)
    වර්තන දර්ශකය 1.95
    ද්වි විද ත් නියතය 30
    ද්වි විද ත් පාඩු ස්පර්ශක (10 GHz) ca. 3.0 * 10_4
    ස් stal ටික වර්ධන ක්‍රමය චොක්‍රල්ස්කි
    ස් stal ටික වර්ධන දිශාව <111>

    තාක්ෂණික පරාමිතීන්:

    දිශානතිය <111> <100> චාප මිනිත්තු 15 ක් තුළ
    තරංග ඉදිරිපස විකෘතිය <1/4 තරංග @ 632
    විෂ්කම්භය ඉවසීම ± 0.05 මි.මී.
    දිග ඉවසීම ± 0.2mm
    චැම්ෆර් 0.10mm@45º
    පැතලි බව <1/10 තරංග 633nm
    සමාන්තරකරණය <චාප තත්පර 30 යි
    ලම්බකතාව <15 චාප මිනි
    මතුපිට ගුණාත්මකභාවය 10/5 සීරීම් / කැණීම්
    පැහැදිලි විවරය > 90%
    ස් st ටිකවල විශාල මානයන් විෂ්කම්භය 2.8-76 මි.මී.