නිෂ්පාදන

GaSe Crystal

Gallium Selenide (GaSe) රේඛීය නොවන දෘෂ්‍ය තනි ස්ඵටිකයක්, විශාල රේඛීය නොවන සංගුණකයක්, ඉහළ හානි එළිපත්තක් සහ පුළුල් පාරදෘශ්‍යතා පරාසයක් ඒකාබද්ධ කරයි.එය මධ්‍යම IR SHG සඳහා ඉතා සුදුසු ද්‍රව්‍යයකි.
ZGP(ZnGeP2) ස්ඵටික

විශාල රේඛීය නොවන සංගුණක ඇති ZGP ස්ඵටික (d36=75pm/V), පුළුල් අධෝරක්ත පාරදෘශ්‍යතා පරාසය (0.75-12μm), ඉහළ තාප සන්නායකතාව (0.35W/(cm·K)), ඉහළ ලේසර් හානි සීමාව (2-5J/cm2) සහ හොඳින් යන්ත්‍රෝපකරණ ගුණය, ZnGeP2 ස්ඵටිකය අධෝරක්ත රේඛීය නොවන දෘෂ්‍ය ස්ඵටිකවල රජු ලෙස හැඳින්වූ අතර එය තවමත් අධි බල, සුසර කළ හැකි අධෝරක්ත ලේසර් ජනනය සඳහා හොඳම සංඛ්‍යාත පරිවර්තන ද්‍රව්‍ය වේ.OPO හෝ OPA හරහා ඉහළ කාර්යක්ෂමතාවයකින් මධ්‍යම අධෝරක්ත සුසර කළ හැකි ලේසර් උත්පාදනය කිරීමට භාවිතා කළ හැකි අතිශය අඩු අවශෝෂණ සංගුණකය α <0.05 cm-1 (පොම්ප තරංග ආයාම 2.0-2.1 µm හිදී) සහිත ඉහළ දෘශ්‍ය ගුණාත්මක භාවය සහ විශාල විෂ්කම්භය ZGP ස්ඵටික පිරිනැමිය හැකිය. ක්රියාවලීන්.
AGSe(AgGaSe2) ස්ඵටික

AGSeAgGaSe2 ස්ඵටිකවල කලාප දාර 0.73 සහ 18 µm වේ.එහි ප්‍රයෝජනවත් සම්ප්‍රේෂණ පරාසය (0.9–16 µm) සහ පුළුල් අදියර ගැලපුම් හැකියාව විවිධ විවිධ ලේසර් මගින් පොම්ප කරන විට OPO යෙදුම් සඳහා විශිෂ්ට විභවයක් සපයයි.2.05 µm දී Ho:YLF ලේසර් මගින් පොම්ප කරන විට 2.5-12 µm ඇතුළත සුසර කිරීම ලබාගෙන ඇත;මෙන්ම 1.4-1.55 µm දී පොම්ප කරන විට 1.9-5.5 µm ඇතුළත විවේචනාත්මක නොවන අදියර ගැලපීම (NCPM) මෙහෙයුම.AgGaSe2 (AgGaSe2) අධෝරක්ත CO2 ලේසර් විකිරණ සඳහා කාර්යක්ෂම සංඛ්‍යාත දෙගුණ කිරීමේ ස්ඵටිකයක් බව පෙන්නුම් කර ඇත.
AGS(AgGaS2) ස්ඵටික

AGS 0.50 සිට 13.2 µm දක්වා පාරදෘශ්‍ය වේ.එහි රේඛීය නොවන දෘශ්‍ය සංගුණකය සඳහන් කරන ලද අධෝරක්ත ස්ඵටික අතුරින් පහළම අගය වුවද, Nd:YAG ලේසර් මගින් පොම්ප කරන ලද OPO වල 550 nm හි ඉහළ කෙටි තරංග ආයාමයක් සහිත පාරදෘශ්‍යතා දාරයක් භාවිතා කරනු ලැබේ;ඩයෝඩ, Ti:Sapphire, Nd:YAG සහ IR සායම් ලේසර් සමඟ 3-12 µm පරාසයක් ආවරණය වන පරිදි විවිධ සංඛ්‍යාත මිශ්‍ර කිරීමේ අත්හදා බැලීම් වලදී;සෘජු අධෝරක්ත ප්‍රතිමින පද්ධතිවල සහ CO2 ලේසර් SHG සඳහා.තුනී AgGaS2 (AGS) ස්ඵටික තහඩු NIR තරංග ආයාම ස්පන්දන භාවිතා කරමින් වෙනස සංඛ්‍යාත උත්පාදනය මගින් මැද IR පරාසයේ අල්ට්‍රාෂෝට් ස්පන්දන උත්පාදනය සඳහා ජනප්‍රිය වේ.
BGSe(BaGa4Se7) ස්ඵටික

BGSe (BaGa4Se7) හි උසස් තත්ත්වයේ ස්ඵටික යනු Chalcogenide සංයෝගයේ BaGa4S7 හි සෙලිනයිඩ් ප්‍රතිසමය වන අතර, එහි කේන්ද්‍රීය විකලාංග ව්‍යුහය 1983 දී හඳුනාගෙන ඇති අතර IR NLO ආචරණය 2009 දී වාර්තා විය, එය අලුතින් සංවර්ධනය කරන ලද IR NLO ස්ඵටිකයකි.එය Bridgman-Stockbarger තාක්ෂණය හරහා ලබා ගන්නා ලදී.මෙම ස්ඵටිකය 15 μm පමණ අවශෝෂණ උච්චයක් හැර, 0.47-18 μm පුළුල් පරාසයක ඉහළ සම්ප්‍රේෂණයක් පෙන්නුම් කරයි.
BGGSe(BaGa2GeSe6) ස්ඵටික

BaGa2GeSe6 ස්ඵටිකයට ඉහළ දෘශ්‍ය හානි සීමාවක් (110 MW/cm2), පුළුල් වර්ණාවලි විනිවිදභාවය පරාසයක් (0.5 සිට 18 μm දක්වා) සහ ඉහළ රේඛීය නොවන (d11 = 66 ± 15 pm/V) ඇත, මෙම ස්ඵටිකය ඉතා ආකර්ෂණීය කරයි. ලේසර් විකිරණ සංඛ්‍යාත පරිවර්තනය (හෝ ඇතුළත) මැද-IR පරාසයට.